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c-mos 4m(524,288 x 8)-bit sector erase flash memory -top view- il08 AM29F400T (1/2) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 nc 19 17 18 20 23 24 26 25 27 29 28 30 31 32 reset a0 dq0 input a0-a17 input/output ; address 33 34 35 36 37 38 39 40 ce dq0-dq15 ; chip enable ; data 21 22 41 42 43 44 ry/by a17 a7 a6 a5 a4 a3 a2 a1 a0 ce gnd oe dq0 dq8 dq1 dq9 dq2 dq10 dq3 dq11 we a8 a9 a10 a11 a12 a13 a14 a15 a16 byte gnd dq15/a-1 dq7 dq14 dq13 dq5 dq12 dq4 dq6 a1 a2 a3 a4 a5 a6 a7 a8 a9 a10 a11 a12 a13 a14 a15 a16 ce oe we ry/by reset byte dq1 dq2 dq3 dq4 dq5 dq6 dq7 dq8 dq9 dq10 dq11 dq12 dq13 dq14 a-1/dq15 ; output enable oe ; write enable we ; ready-busy ry/by ; reset reset ; selects 8-bit or 16-bit mode byte a17 11 10 9 8 7 6 5 4 42 41 40 39 38 37 36 35 34 3 12 14 43 2 44 33 15 17 19 21 24 26 28 30 16 18 20 22 25 27 29 31 v dd (+5v)
latch y-gating cell matrix y-decoder x-decoder address latch input/output buffers erase voltage generator output enable chip enable logic generator pgm voltage ry/by buffer v cc detector timer control state command register stb stb 24-31 15-22 2 43 33 44 ry/by we byte reset ce oe 12 14 3-11,34-42 31 a0-a17 a-1 dq0-dq15 AM29F400T(2/2) data
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